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當然，此時的絕大部分記者們並不知道如果想要生產90奈米和65奈米晶片。

其實不一定需要採用第5代浸沒式光刻機技術，直接研發採用第四代的ArF乾式光刻機技術也行。

因為第四代的ArF乾式光刻機的光源波長是193nm，這193nm光源波長理論上最高是能生產65奈米晶片的。

但做事不能考慮到短期，還要考慮到長期乃至更長期的未來發展線路。

第5代浸沒式光刻機技術是個神奇的技術，這技術在去年2003年10月才正式研發完成並推出第一代光刻機產品。

此時這第5代浸沒式光刻機雖然已經有了許多技術專利牆在前，但還沒有形成如同前世一樣絕對無法突破的技術專利銅牆鐵壁。

此時的曙光科技還有著繞過阿思麥與臺積店諸多浸沒式光刻機技術專利牆的可能，所以能入局還是提前入局得好。

否則等阿思麥與臺積店在浸沒式光刻機上註冊的專利越來越多，然後徹底成為絕對無法突破的銅牆鐵壁，那曙光科技就徹底失去了第五代浸沒式光刻機技術的研發可能。

雖然就算失去了第五代浸沒式光刻機也似乎可以去直接研發第六代EUV光刻機，但這EUV光刻機實際相當於一個全新領域了。

EUV光刻機採用的是13.5nm的極紫外線（EUV）光源，能加工7奈米以下的晶片，理論上直接上馬第六代EUV光刻機更好。

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